功率器件(MOSFET/IGBT)研發(fā)工程師職責(zé):1、負(fù)責(zé)MOSFET、IGBT等功率器件的線路設(shè)計、工藝仿真和工藝流程制定;2、負(fù)責(zé)功率器件的封裝、測試、可靠性、失效分析等;3、負(fù)責(zé)產(chǎn)品測試規(guī)范的制定,負(fù)責(zé)測試的實施及測試數(shù)據(jù)的分析;4、開發(fā)工藝、優(yōu)化工藝、優(yōu)化設(shè)計、提升器件性能、提升生產(chǎn)良率等;5、根據(jù)終端客戶需求,解決客戶反饋的技術(shù)問題。崗位要求:??????????????????????????????????功率半導(dǎo)體相關(guān)本科二年以上,熟悉MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品開發(fā)流程;??具有Wafer?Fab?實際經(jīng)驗和MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的實際開發(fā)/生產(chǎn)經(jīng)驗;??熟悉版圖設(shè)計(Layout?Design)和器件仿真(TCADSimulation);??具有主動溝通力和團(tuán)隊協(xié)作能力。